Аннотация:
В экспериментах по фотолюминесценции наблюдалось квантование электронного спектра в кремниевых квантовых точках, полученных имплантацией кремния в оксид кремния SiO$_2$. Оценен диаметр кремниевых квантовых точек – 1.8 nm. Инжекция электронов и дырок сопровождается возникновением сигнала парамагнитного резонанса с $g$-фактором 2.006. Этот результат однозначно указывает на то, что кремниевые кластеры являются ловушками для электронов и дырок в SiO$_2$.