Аннотация:
Методом атомно-силовой микроскопии показано, что примесь PbI$_2$ встраивается в кристаллическую решетку CdI$_2$ в виде нанокристаллических включений. Для примесной полосы поглощения (возбуждения) 3.23 eV рассматривается модель высокоэнергетического катионного экситона, связанного с $^3P_2$-состоянием свободного иона Pb$^{2+}$. Резонансные с расщепленной полосой поглощения узкие полосы фотолюминесценции 3.12 и 3.20 eV сопоставлены с излучением свободного экситона френкелевского типа. Показано, что в области температур 25–45 K образуется автолокализованное состояние экситона, в формировании которого основную роль играют изгибные колебания кристаллической решетки CdI$_2$. Величина потенциального барьера, отделяющего автолокализованное состояние от свободного экситона, составляет 23 meV. Полоса фотолюминесценции 2.4 eV приписывается излучению автолокализованного высокоэнергетического катионного экситона PbI$_2$ в кристаллической решетке CdI$_2$.