Эта публикация цитируется в 14 статьях

Полупроводники

Влияние давления и механического напряжения на электронные свойства AlN и GaN

В. Н. Брудный^a, А. В. Кособуцкий^b, Н. Г. Колин<sup>c

a</sup> Томский государственный университет
^b Кемеровский государственный университет
^c Физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Обнинский филиал

Аннотация: На основе расчетов из первых принципов в рамках теории функционала плотности рассмотрены фундаментальные свойства соединений AlN и GaN со структурой вюрцита под действием внешнего гидростатического давления, одноосного механического напряжения $\sigma_\parallel$ вдоль гексагональной оси и двухосного механического напряжения $\sigma_\perp$ в плоскости основания элементарной ячейки. Получены давления фазовых переходов из структур вюрцита и сфалерита в структуру каменной соли, исследовано поведение структурных параметров, межзонных переходов и положения уровня зарядовой нейтральности. Рассчитаны коэффициенты давления ширины запрещенной зоны: $\partial E_g/\partial p$ = 40.9, $-\partial E_g/\partial\sigma_\parallel$ = -4.2, $-\partial E_g/\partial\sigma_\perp$ = 45.2 meV/GPa для AlN и $\partial E_g/\partial p$ = 33.0, $-\partial E_g/\partial\sigma_\parallel$ = 23.6, $-\partial E_g/\partial\sigma_\perp$ = 9.6 meV/GPa для GaN. Коэффициенты давления уровня зарядовой нейтральности практически во всех случаях существенно меньше соответствующих данных для $E_g$.

Поступила в редакцию: 06.05.2010
Принята в печать: 07.07.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:4, 679–688

Реферативные базы данных:

•