Эта публикация цитируется в 26 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Исследование морфологии ван-дер-ваальсовой поверхности монокристалла InSe

А. И. Дмитриев^a, В. В. Вишняк^b, Г. В. Лашкарев^a, В. Л. Карбовский^b, З. Д. Ковалюк^a, А. П. Бахтинов<sup>a

a</sup> Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
^b Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины

Аннотация: Методами сканирующей зондовой микроскопии исследована морфология ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) слоистого монокристалла In$_{1.03}$Se$_{0.97}$ при разных способах ее приготовления. Предположено, что поверхность Ван-дер-Ваальса, приготовленная при помощи адгезивной ленты, окисляется на воздухе в результате хемосорбции кислотных агентов оборванными связями металла и селена. Вольт-амперные характеристики туннельного тока позволяют утверждать, что состав естественных окислов представляет собой смесь фаз оксида In$_2$O$_3$ и широкозонных окислов селена.
Сканирование туннельным микроскопом поверхности InSe, полученной скалыванием и последующей экспозицией на воздухе в течение порядка 2 min, вызывает поверхностное упорядочение в виде гофра сложного профиля с тонкой структурой. Последнее отражает перераспределение плотности заряда после хемосорбции на ней молекул газов из воздуха и релаксации этой поверхности в состояние с минимальной энергией.
На ван-дер-ваальсовой поверхности InSe (0001), полученной скалыванием в бескислородной среде, наблюдаются атомы базисной плоскости. Гофрирование поверхности отсутствует. Точечные дефекты вызывают возмущение периодического потенциала монокристалла, которое распространяется на расстояние до 4 периодов решетки и выглядит как затенение.
Предложен способ получения оксидных наноструктур In$_2$O$_3$ на поверхности монокристалла слоистого полупроводника InSe с использованием зонда атомного силового микроскопа в качестве наноиндентора. Способность зонда работать как в газообразных, так и в жидких средах существенным образом расширяет возможности метода.

Поступила в редакцию: 24.06.2010
Принята в печать: 15.07.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:3, 622–633

Реферативные базы данных:

•