Аннотация:
Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и магнитного линейного дихроизма в фотоэмиссии Co 3$p$-электронов исследованы начальные стадии роста пленок кобальта на поверхности Si(100)2 $\times$ 1 и выявлена динамика изменения их фазового состава, электронной структуры и магнитных свойств с ростом покрытия в диапазоне 1–20 $\mathring{\mathrm{A}}$. Показано, что рост пленки металлического кобальта начинается при покрытии, равном $\sim$7 $\mathring{\mathrm{A}}$. Этому процессу предшествуют стадии формирования интерфейсного силицида кобальта и твердого раствора Co–Si. Обнаружено также, что при дозах напыления, меньших 15 $\mathring{\mathrm{A}}$, поверхность образца покрыта сегрегированным кремнием. Ферромагнитное упорядочение пленки в плоскости поверхности носит пороговый характер и возникает при дозе напыления, равной $\sim$6 $\mathring{\mathrm{A}}$. Дальнейшее увеличение покрытия в диапазоне 8–16 $\mathring{\mathrm{A}}$ приводит к более медленному возрастанию остаточной намагниченности пленки.