Аннотация:
В модели пространственно зависимых эффективных масс и прямоугольных потенциалов квазичастиц (электронов, дырок, экситонов) в симметричной трехбарьерной резонансно-туннельной наноструктуре, методами коэффициента похождения, S-матрицы и функции распределения вероятности выполнен теоретический расчет спектральных параметров (резонансных энергий и ширин) квазистационарных состояний.
На примере открытой трехбарьерной резонансно-туннельной структуры, состоящей из трех барьеров (GaAs) и двух ям (In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As), рассчитана и проанализирована эволюция спектральных параметров квазистационарных состояний квазичастиц в зависимости от изменения геометрических размеров наносистемы. В модели без подгоночных параметров в случае тяжелого экситона установлено удовлетворительное соответствие экспериментальных и теоретических результатов.
Поступила в редакцию: 04.03.2010 Принята в печать: 20.05.2010