Эта публикация цитируется в 15 статьях

Примесные центры

Особенности глубинных профилей распределения имплантированных ионов кобальта в рутиле TiO$_2$

А. А. Ачкеев^a, Р. И. Хайбуллин^ab, Л. Р. Тагиров^ab, A. Mackova^cd, V. Hnatowicz^c, N. Cherkashin<sup>e

a</sup> Казанский (Приволжский) федеральный университет
^b Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН
^c Nuclear Physics Institute, Academy of Sciences of the Czech Republic, Rez, Czech Republic
^d Department of Physics, Faculty of Science, J.E. Purkinje University, Usti nad Labem, Czech Republic
^e CEMES–CNRS, Universite de Toulouse, Toulouse, France

Аннотация: Представлены результаты расчетов глубинных профилей распределения концентрации примеси, имплантированной в анизотропный кристаллический материал. Учтены распыление облучаемого материала, быстрая одномерная диффузия примеси вдоль структурного канала и накопление внедряемой примеси на разных глубинах. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными профилями распределения ионов кобальта, имплантированных в кристаллическую структуру рутила (TiO$_2$) как вдоль, так и поперек структурного канала при различных температурах облучаемой подложки. Из сравнения модельных профилей с экспериментальными оценены скорости осаждения кобальта в матрице TiO$_2$ на различных центрах преципитации. На основе построенной модели объясняется необычное движение пика концентрационного распределения имплантированных ионов в глубь образца с повышением температуры облучаемой подложки. Модель позволяет разделить вклады от разных фаз примеси, наночастиц и твердого раствора, в магнетизм системы Co : TiO$_2$.

Поступила в редакцию: 08.07.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:3, 543–553

Реферативные базы данных:

•