Аннотация:
Исследована возможность создания собственного ферромагнетизма в сильно легированном оксидном полупроводнике при комнатной температуре. Результаты показывают, что такое состояние ферромагнитного полупроводника может быть достигнуто путем нанесения методом магнетронного распыления полуизолирующей пленки легированного переходным металлом оксида с последующим низкотемпературным отжигом в вакууме.