Эта публикация цитируется в 16 статьях

Полупроводники

Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInSe$_2$ и TlGaTe$_2$

А. У. Шелег^a, В. Г. Гуртовой^a, С. Н. Мустафаева^b, Э. М. Керимова<sup>b

a</sup> Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Белоруссия
^b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Приведены результаты исследования температурной зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости кристаллов соединений TlInSe$_2$ и TlGaTe$_2$, необлученных и облученных электронами с энергией 4 MeV дозой 10$^{16}$ cm$^{-2}$. Установлено, что облучение электронами приводит к уменьшению значений удельной электропроводности $\sigma$ и диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ во всей исследованной области температур (90–320 K). Обнаружено, что в монокристаллах TlInSe$_2$ и TlGaTe$_2$ имеет место характерная для этого типа кристаллов последовательность фазовых переходов, проявляющаяся на температурных зависимостях $\sigma=f(T)$ и $\varepsilon=f(T)$ в виде аномалий. Облучение кристаллов электронами дозой 10$^{16}$ cm$^{-2}$ не влияет на температуры фазовых переходов исследованных кристаллов.

Поступила в редакцию: 30.06.2010
Принята в печать: 17.08.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:3, 472–475

Реферативные базы данных:

•