Аннотация:
Методом импульсно-лазерного осаждения на сапфировых подложках выращены тонкие пленки Cd$_y$Zn$_{1-y}$O и Mg$_x$Zn$_{1-x}$O в диапазоне $y$ = 0-0.35 и $x$ = 0–0.45. Достигнуты рекордные пределы растворимости Cd и Mg в гексагональном оксиде цинка, равные $y$ = 0.3 и $x$ = 0.35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок Cd$_{0.2}$Zn$_{0.8}$O и Mg$_{0.35}$Zn$_{0.65}$O не превышало 1%, а разрыв запрещенной зоны при этом достигал 1.3 eV. Шероховатость пленок не превышала 2.5 nm для значений $x$ = 0–0.27 и $y$ = 0–0.2.