Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводники

Импеданс композитов Si/SiO$_2$ в окрестности порога протекания

Н. А. Поклонский^a, Н. И. Горбачук^a, Д. Алейникова<sup>b

a</sup> Белорусский государственный университет, г. Минск
^b College of State Island, CUNY, Staten Island, N.Y., USA

Аннотация: На переменном токе исследовались полученные по керамической технологии композиты Si/SiO$_2$ с концентрацией электропроводящей фазы кремния, близкой к порогу протекания. Установлено, что увеличение разности потенциалов постоянного электрического поля приводит к уменьшению разброса постоянных времени диэлектрических прослоек структур “зерно” Si–прослойка SiO$_2$–“зерно” Si, формирующих электропроводящий кластер в композите.

Поступила в редакцию: 28.06.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:3, 462–466

Реферативные базы данных:

•