Полупроводники

Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированного As$_2$Se$_3$

Р. А. Кастро, Н. И. Анисимова, В. А. Бордовский, Г. И. Грабко

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты сравнительного анализа особенностей дисперсии составляющих комплексной диэлектрической проницаемости для чистых и легированных висмутом тонких слоев аморфного триселенида мышьяка. Установлена корреляция между экспериментальными данными и теоретическими расчетами аналогичных характеристик, полученных в предыдущих работах. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов.

Поступила в редакцию: 28.06.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:3, 458–461

Реферативные базы данных:

•