Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург
Физика поверхности, тонкие пленки

Оптические и фотоэлектрические свойства многослойных структур GaN|InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения

Э. Я. Ярчук^ab, А. В. Уваров^b, А. А. Максимова^ab, А. С. Гудовских<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования возможности использования решеточно-согласованных с кремниевой подложкой многослойных композиций GaN|InP для формирования верхнего перехода методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения. В ходе исследования были получены температурные зависимости темновой проводимости и фотопроводимости, что позволило оценить фотоэлектрические свойства пленок на основе сверхрешеток GaN|InP, а также отдельных слоев InP и GaN. Получены значения энергий активации фотопроводимости для структур GaN|InP в диапазоне 0.17–0.25 eV и для отдельных слоев InP и GaN – 0.1 и 0.4 eV соответственно.

Ключевые слова: солнечная энергетика, фосфид индия, нитрид галлия, фотопроводимость, энергия активации.

Поступила в редакцию: 30.04.2025
Исправленный вариант: 08.09.2025
Принята в печать: 11.11.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.12.62433.8024k-25