Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург
Фазовые переходы, рост кристаллов

Выращивание твердого раствора GaInAsSbBi на подложке GaSb(100), разориентированной на 6$^\circ$ к плоскости (111)A

А. С. Пащенко^ab, Д. А. Никулин^ab, Э. Е. Блохин<sup>a

a</sup> Федеральный исследовательский центр Южный научный центр Российской академии наук, Ростов-на-Дону, Россия
^b Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия

Аннотация: Приведены результаты выращивания твердых растворов GaInAsSbBi методом импульсного лазерного напыления на подложке GaSb(100), разориентированной на 6$^\circ$ к плоскости (111)A. Результаты структурного анализа методами рентгеновской дифракции, просвечивающей, электронной и атомно-силовой микроскопии показывают, что основным механизмом роста является рост по Фольмеру–Веберу. Пленки имеют поликристаллическую структуру. В объеме пленки присутствуют дефекты упаковки, двойники и дислокации. Методом энергодисперсионного микроанализа состав пленок определяется как Ga$_{0.75}$In$_{0.25}$As$_{0.87}$Sb$_{0.1}$Bi$_{0.03}$.

Ключевые слова: соединения III–V, GaSb, антимонид галлия, твердые растворы.

Поступила в редакцию: 30.04.2025
Исправленный вариант: 08.09.2025
Принята в печать: 11.11.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.12.62427.7979k-25