Фазовые переходы, рост кристаллов

Спектроскопический контроль энергетической щели легированных алюминием окисно-ванадиевых структур

А. В. Ильинский^a, В. А. Климов^a, А. А. Кононов^b, П. С. Провоторов^b, Д. Л. Фёдоров^c, Е. Б. Шадрин<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
^c Балтийский государственный технический университет "Военмех" им. Д. Ф. Устинова, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показано, что легирование примесью Al в количестве 5 ат.% таких сильно коррелированных соединений, как диоксид ванадия и пентоксид ванадия, приводит к сужению их запрещенной зоны и сокращению термической протяженности моттовской компоненты комплексного фазового перехода полупроводник-металл. Результатом этого является понижение с 67$^\circ$C до 62$^\circ$C температуры фазового перехода полупроводник-металл в VO$_2$. В то же время для предельного окисла V$_2$O$_5$ вызванное легированием Al уменьшение термической протяженности моттовской компоненты фазового перехода сопровождается лишь корреляционным сужением оптической ширины запрещенной зоны в виду отсутствия в данном предельном окисле пайерлсовской компоненты комплексного фазового перехода.

Ключевые слова: диэлектрическая спектроскопия, диоксид ванадия, фазовый переход полупроводник-металл, пленки VO$_2$, легирование алюминием.

Поступила в редакцию: 03.11.2025
Исправленный вариант: 10.11.2025
Принята в печать: 11.11.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.12.62418.310-25