Полупроводники

Влияние нейтронно-легированного изотопа фосфора на микротвердость монокристаллического кремния

Ш. Махкамов^a, М. Ю. Ташметов^a, М. Н. Эрдонов^a, Н. Б. Исматов^a, Ш. А. Махмудов^a, Ш. М. Назармаматов^a, Х. М. Холмедов<sup>b

a</sup> Институт ядерной физики АН РУз, Ташкент, Узбекистан
^b Ташкентский университет информационных технологий имени аль-Хорезми, Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Исследовано изменение микротвердости исходного кремния $n$- и $p$-типа, содержащего примеси фосфора или бора, при нейтронной трансмутации. Выявлено, что легирование кремния стабильным изотопом $^{31}$P независимо от содержания фосфора в исходном кристалле приводит к увеличению микротвердости $n$-Si$\langle$P$\rangle$. Для кремния $p$-типа, содержащего примеси бора, микротвердость определяется соотношением концентраций бора и изотопа $^{31}$P. Определено, что в $p$-Si$\langle$B$\rangle$ наблюдается повышение микротвердости нейтронно-трансмутационного кремния $p$-типа при соотношении концентраций N$_{^{31}\mathrm{P}}$/N$_{\mathrm{B}}>$ 1. Предложен механизм трансформации радиационных дефектных комплексов с участием изотопа $^{31}$P, ответственных за изменение микротвердости кремния $n$- и $p$-типа при нейтронной трансмутации.

Ключевые слова: монокристаллический кремний, примесь, нейтронно-трансмутационный кремний, легирование, изотоп $^{31}$P, концентрация, микротвердость.

Поступила в редакцию: 15.11.2025
Исправленный вариант: 01.12.2025
Принята в печать: 02.12.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.12.62413.325-25