Эта публикация цитируется в 7 статьях

Системы низкой размерности

Анизотропия фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)

В. А. Володин<sup>ab

a</sup> Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Аннотация: Легированные сверхрешетки (СР) GaAs/AlAs, выращенные на поверхностях (311)$A$ и (311)$B$, были исследованы с применением методики спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). При обратном рассеянии с “торца” СР (с применением микроприставки для исследования КРС) удалось обнаружить фононные и фонон-плазмонные моды с различными направлениями волновых векторов в плоскости СР (т. е. распространяющиеся в различных латеральных направлениях). Впервые экспериментально обнаружена латеральная анизотропия смешанных фонон-плазмонных мод, обусловленная структурной анизотропией в СР, выращенной на фасетированной поверхности (311)$A$.

Поступила в редакцию: 24.05.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:2, 404–406

Реферативные базы данных:

•