Системы низкой размерности

Циркулярная поляризация люминесценции квантовых ям GaAs/AlGaAs в зависимости от условий роста структуры

Е. С. Москаленко, Н. К. Полетаев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована степень циркулярной поляризации фотолюминесценции образцов с квантовыми ямами GaAs/AlGpAs, выращенных с прерыванием роста на обоих интерфейсах и в условиях обычного роста. Обнаружено, что при низкой (4.2 K) температуре измерений в образце, выращенном с прерыванием роста, наблюдаются существенные различия в величине циркулярной поляризации, измеренной при различных энергиях детектирования в пределах спектрального контура полосы люминесценции, в то время как в образце, выращенном в обычном режиме, этот эффект не наблюдается. При повышении температуры образца до 77 K этот эффект исчезает. Наблюдаемое поведение объясняется в рамках модели, учитывающей существенно различную степень локализации носителей в островках роста (формирующихся на интерфейсах структуры), пространственные размеры которых определяются конкретными условиями роста образца.

Поступила в редакцию: 18.05.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:2, 398–403

Реферативные базы данных:

•