Аннотация:
Методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследовано влияние меди на центры дислокационной люминесценции в кремнии. Показано, что существуют два основных механизма гашения дислокационного излучения примесью меди. Первый из них существен при относительно высоких концентрациях меди и связан с уменьшением времени безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в связи с образованием преципитатов меди в кремнии. Это приводит к гашению как всей дислокационной, так и краевой экситонной люминесценции. Второй механизм связан с взаимодействием индивидуальных атомов меди с глубокими дислокационными центрами $D_1/D_2$, в результате которого пассивируется рекомбинационная активность этих центров. Данный механизм реализуется даже при комнатной температуре и обладает значительной эффективностью при малых концентрациях меди.