Эта публикация цитируется в 6 статьях

Сегнетоэлектричество

Релаксация доменной структуры в кристалле ТГС, стимулированная переменным электрическим полем

О. М. Голицына, С. Н. Дрождин

Воронежский государственный университет

Аннотация: Исследованы процессы релаксации доменной структуры в кристалле триглицинсульфата, неравновесное состояние которой создавалось действием переменного электрического поля. Получены распределения энергии активации рассматриваемых процессов и энергии взаимодействия доменных стенок с дефектами по величине возбуждающего поля.

Поступила в редакцию: 25.05.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:2, 341–344

Реферативные базы данных:

•