А. В. Пащенко, В. П. Пащенко, А. Г. Сильчева, В. К. Прокопенко, А. А. Шемяков, Ю. Ф. Ревенко, В. П. Комаров, С. В. Горбань, “Структура, фазовые переходы, ЯМР $^{55}$Mn и магниторезистивные свойства La$_{0.6}$Sr$_{0.2}$Mn$_{1.2-y}$Cr$_y$O$_{3\pm\delta}$”, Физика твердого тела, 2011, том 53, выпуск 2,страницы 289

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Магнетизм

Структура, фазовые переходы, ЯМР $^{55}$Mn и магниторезистивные свойства La$_{0.6}$Sr$_{0.2}$Mn$_{1.2-y}$Cr$_y$O$_{3\pm\delta}$

А. В. Пащенко^ab, В. П. Пащенко^ac, А. Г. Сильчева^d, В. К. Прокопенко^a, А. А. Шемяков^a, Ю. Ф. Ревенко^a, В. П. Комаров^c, С. В. Горбань^b

^a Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, г. Донецк
^b Донецкий национальный университет экономики и торговли им. М. Туган-Барановского, г. Донецк
^c Научно-исследовательский институт "Реактивэлектрон", НАН Украины, Донецк, Украина
^d Луганский национальный университет им. Т. Шевченко

Аннотация: Рентгеновским, резистивным, магнитными ($\chi_{\mathrm{ac}}$, ЯМР $^{55}$Mn) методами исследовали структуру и свойства лантан-стронциевых манганитоперовскитов La$_{0.6}$Sr$_{0.2}$Mn$_{1.2-y}$Cr$_y$O$_{3\pm\delta}$ ($y$ = 0 – 0.3), спеченных при 1430$^\circ$C. Параметр ромбоэдрически искаженной $(R\bar3c)$ перовскитной структуры уменьшается с ростом $y$. Реальная перовскитная структура содержит точечные (анионные, катионные вакансии) и наноструктурные дефекты кластерного типа.
Анализ асимметрично уширенных спектров ЯМР $^{55}$Mn подтвердил высокочастотный электронно-дырочный обмен Mn$^{3+}$ $\leftrightarrow$ Mn$^{4+}$ и локальную неоднородность их окружения другими ионами и дефектами точечного и кластерного типа.
Повышение содержания Cr приводит к увеличению удельного сопротивления и магниторезистивного эффекта, уменьшению температур фазовых переходов металл–полупроводник $T_{ms}$ и ферромагнетик-парамагнетик $T_c$ вследствие нарушения обменных взаимодействий Mn$^{3+}$ $\leftrightarrow$ Mn$^{4+}$ ионами хрома, вакансиями и кластерами. Введение Cr уменьшает ферромагнитную составляющую и увеличивает энергию активации. Магниторезистивный эффект вблизи $T_{ms}$ и $T_c$ обусловлен рассеянием носителей заряда на внутрикристаллитных наноструктурных неоднородностях решетки, а низкотемпературный – туннелированием на мезоструктурных межкристаллитных границах.

Поступила в редакцию: 22.04.2010