Эта публикация цитируется в 19 статьях

Полупроводники

Термостимулированные рекомбинационные процессы и люминесценция в кристаллах Li$_6$(Y,Gd,Eu)(BO$_3$)$_3$

И. Н. Огородников^a, Н. Е. Порывай^a, И. Н. Седунова^a, А. В. Толмачев^b, Р. П. Явецкий<sup>b

a</sup> Уральский государственный технический университет, г. Екатеринбург
^b Институт монокристаллов НАН Украины, г. Харьков

Аннотация: Представлены результаты исследования термостимулированных рекомбинационных процессов и люминесценция кристаллов семейства боратов лития Li$_6$(Y,Gd,Eu)(BO$_3$)$_3$. Для соединений Li$_6$Gd(BO$_3$)$_3$, Li$_6$Eu(BO$_3$)$_3$, Li$_6$Y$_{0.5}$Gd$_{0.5}$(BO$_3$)$_3$–Eu и Li$_6$Gd(BO$_3$)$_3$–Eu в диапазоне температур 90–500 K измерены спектры стационарной люминесценции при возбуждении рентгеновским излучением рентгенолюминесценции, температурные зависимости интенсивности рентгенолюминесценции и кривые термостимулированной люминесценции. В спектре рентгенолюминесценции доминируют полоса при 312 nm, соответствующая переходам $^6P_J$ $\to$ $^8S_{7/2}$ в ионе Gd$^{3+}$, и группа линий при 580–700 nm, обусловленная переходами $^5D_0$ $\to$ $^7F_J$ ($J$ = 0 – 4) в ионе Eu$^{3+}$. Для нелегированных кристаллов интенсивность рентгенолюминесценции в этих полосах увеличивается в 15 раз при изменении температуры от 100 до 400 K. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемой температурной зависимости интенсивности и их связь с особенностями передачи энергии электронных возбуждений в данных кристаллах. Во всех исследованных кристаллах обнаружен основной неэлементарный пик термостимулированной люминесценции с максимумом при 110–160 K, а также ряд более слабых пиков, состав и структура которых зависят от типа кристалла. Обсуждается природа мелких центров захвата, обусловливающих термостимулированную люминесценцию в области температур ниже комнатной, и их связь с дефектами подрешетки катионов лития.

Поступила в редакцию: 18.05.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:2, 263–270

Реферативные базы данных:

•