Полупроводники

Термоиндуцированная дефектная фотолюминесценция гидрогенизированного аморфного кремния

О. Б. Гусев, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, К. Д. Цэндин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование собственной дефектной фотолюминесценции (ФЛ) пленок аморфного гидрогенизированного кремния ($a$-Si : H) при больших интенсивностях оптической накачки, приводящих к нагреву пленки. Обнаружено, что при коротких временах нагрева интенсивность дефектной ФЛ увеличивается с температурой экспоненциально с энергией активации, равной 0.85 eV, что существенно меньше энергии активации $\sim$0.2 eV, полученной из экспериментов по классическому отжигу. Этот и другие экспериментальные результаты по температурной зависимости интенсивности и кинетике дефектной ФЛ объясняются в рамках модели “водородного стекла” термостимулированным рождением собственных дефектов аморфного кремния. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными результатами по дефектной ФЛ, отражающей образование и аннигиляцию дефектов при коротких временах нагрева в присутствии оптического возбуждения.

Поступила в редакцию: 11.05.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:2, 256–262

Реферативные базы данных:

•