Эта публикация цитируется в
6 статьях
Сверхпроводимость
Радиационные повреждения при облучении BCS-сверхпроводника MgB$_2$ электронами высокой энергии
А. А. Блинкин,
В. В. Деревянко,
Т. В. Сухарева,
В. Л. Уваров,
В. А. Финкель,
Ю. Н. Шахов,
И. Н. Шляхов Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт"
Аннотация:
Приводятся результаты изучения влияния облучения двухщелевого BCS-сверхпроводника MgB
$_2$ высокими дозами (0
$\le\Phi t\le\sim$ 2.5
$\cdot$ 10
$^{18}$ cm
$^{-2}$) электронов со средней энергией
$\bar E\sim$ 10 MeV на температуру и ширину перехода в сверхпроводящее состояние, температурную зависимость электросопротивления в нормальном состоянии, параметры кристаллической решетки и интенсивность дифракционных линий. При повышении дозы электронного облучения
$\Phi t$ обнаружены следующие эффекты: снижение критической температуры
$T_c$ и увеличение ширины сверхпроводящего перехода
$\Delta T_c$, уменьшение величины “остаточного электросопротивления”
$(\rho_{273 K})/(\rho_{40 K})$, понижение величин параметров
$a$ и
$c$ гексагональной кристаллической решетки, а также величины отношения интенсивности дифракционных линий
$(I_{110})/(I_{100})$. На основании полученных результатов установлено, что основным видом радиационных повреждений при облучении BCS-сверхпроводника MgB
$_2$ электронами высокой энергии является образование вакансий в B-подрешетке, следствием которого является сужение большой энергетической щели
$\Delta\sigma$ на поверхности Ферми.
Поступила в редакцию: 11.05.2010
Принята в печать: 05.07.2010