Системы низкой размерности

Оптическая ориентация частиц со случайным $g$-фактором в полупроводниковых наноструктурах

С. В. Андреев, А. В. Кудинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: В реальных квазидвумерных полупроводниковых наноструктурах (квантовых ямах, квантовых точках) поперечный $g$-фактор дырок является стохастической величиной. Этот факт необходимо учитывать при анализе оптической ориентации и эффекта Ханле на дырках. Теоретически рассматривается эффект Ханле для ансамбля частиц со “случайным” $g$-фактором. В случае, когда время спиновой релаксации дырки с характерной величиной $g$-фактора мало по сравнению с ее временем жизни, возможно сужение контура деполяризации и увеличение его амплитуды. Для противоположного случая долгих времен спиновой релаксации (трионы в квантовых точках) выведена формула, обобщающая ранее полученный результат на случай произвольного угла наклона магнитного поля к плоскости слоя (эффект Ханле в наклонном поле).

Поступила в редакцию: 30.06.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:1, 189–194

Реферативные базы данных:

•