Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводники

Дифракция рентгеновского излучения на однородно изогнутом кристалле в геометрии на отражение

И. А. Смирнова^a, Э. В. Суворов^a, Е. В. Шулаков<sup>b

a</sup> Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
^b Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия

Аннотация: Исследованы особенности распределения интенсивности на выходной поверхности однородно изогнутого кристалла в геометрии на отражение. Эксперименты проводились на тонкослойных гетероструктурах Si$_{(1-x)}$Ge$_x$/Si. Для гетеросистем внутренние напряжения, возникающие в пленке и подложке, приводят к упругому изгибу всей системы. На секционных топограммах наблюдаются интерференционные деформационные полосы. Важно, что контраст этой интерференционной картины почти на порядок превосходит случай брэгговского рассеяния в идеальном кристалле. Наблюдаемая интерференционная картина зависит от радиуса изгиба кристалла. При увеличении радиуса все максимумы смещаются в сторону основного брэгговского пика. Соответственно уменьшаются все расстояния между полосами. Показано, что положение максимумов интенсивности не зависит от знака изгиба кристалла. При отрицательном знаке радиуса изгиба кристалла (положительный градиент деформации) наблюдается увеличение интегральной интенсивности. Результаты численного моделирования дифракционных изображений хорошо согласуются с экспериментальными топограммами. Сопоставление численного моделирования интерференционной картины и экспериментальных топограмм позволяет точно определить радиус изгиба кристалла (4%). По результатам моделирования эксперимента получены формулы, описывающие положение интерференционных максимумов в зависимости от радиуса изгиба образца.

Поступила в редакцию: 29.04.2010
Принята в печать: 17.06.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:1, 35–40

Реферативные базы данных:

•