RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2011, том 53, выпуск 1, страницы 29–34 (Mi ftt13129)

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Полупроводники

Энергетическая фильтрация носителей тока в наноструктурированном материале на основе теллурида висмута

Л. П. Булатa, И. А. Драбкинb, В. В. Каратаевb, В. Б. Освенскийb, Ю. Н. Пархоменкоb, Д. А. Пшенай-Северинc, Г. И. Пивоваровd, Н. Ю. Табачковаe

a Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", г. Москва
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, г. Троицк, Москва
e Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы зависимости электропроводности и термоэдс от размеров зерен в нанокристаллическом материале на основе твердых растворов Bi$_2$Te$_3$–Sb$_2$Te$_3$ $p$-типа. Проведен расчет времени релаксации при рассеянии дырок на границах нанозерен в изотропном поликристалле с учетом энергетической зависимости вероятности туннелирования носителей и зависимости интенсивности рассеяния от размеров нанозерен $L_n$. Уменьшение вероятности граничного рассеяния с ростом энергии носителей приводит к увеличению термоэдс. Зависимости термоэдс и электропроводности от размера нанозерен, полученные с учетом граничного рассеяния и рассеяния на акустических фононах, хорошо согласуются с экспериментом. В рассматриваемом материале коэффициент термоэдс увеличивается на 10–20% по сравнению с исходным твердым раствором при $L_n$ = 20–30 nm. Это может привести к увеличению термоэлектрической эффективности на 20–40% при условии, что уменьшение электропроводности и решеточной теплопроводности скомпенсируют друг друга. Несмотря на отсутствие полной компенсации, в исследованных образцах удалось увеличить термоэлектрическую эффективность до значения $ZT$ = 1.10–1.12.

Поступила в редакцию: 07.04.2010


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:1, 29–34

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026