Аннотация:
Исследованы оптические и электрические свойства светоизлучающих полевых транзисторных структур с активным слоем на основе нанокомпозитных пленок, содержащих наночастицы окиси цинка (ZnO) диспергированные в матрице растворимого сопряженного полимера MEH-PPV. Установлено, что вольт-амперные характеристики полевого транзистора на основе пленок MEH-PPV : ZnO с соотношением компонентов композита 2 : 1 имеют амбиполярный характер, а значения подвижности при 300 K в таких структурах достигают $\sim$1.2 cm$^2$/Vs и $\sim$1.4 cm$^2$/Vs для электронов и дырок соответственно, что близко к подвижности в полевых транзисторах на основе пленок ZnO. Показано, что амбиполярный полевой транзистор на основе пленок MEH-PPV : ZnO излучает свет как при положительном, так и при отрицательном смещении на затворе. Обсуждаются механизмы инжекции, транспорта носителей заряда и излучательной рекомбинации в исследованных структурах.