Аннотация:
Тонкие пленки SnS представляют интерес для оптоэлектроники. Исследовано влияние режимов получения на микроструктуру и электрические свойства тонких пленок SnS, полученных методом горячей стенки на подложках из чистого стекла и стекла с подслоем молибдена. Установлено, что на подложках из чистого стекла в зависимости от режима получения возможно формирование пленок SnS с двумя типами текстуры (111) и (010). Удельное сопротивление и температурный коэффициент термоэдс пленок SnS на стекле изменяются в пределах от 12 до 817 Omega·cm и от 37 до 597 muV/K соответственно в зависимости от режимов получения. Энергия активации составляет 0.11-0.12 eV.