Эта публикация цитируется в 1 статье

Оптические свойства

Изменение отражения света от поверхности монокристаллов 6H-SiC под действием ультрафиолетового излучения (фотонный транзистор)

А. Н. Грузинцев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия

Аннотация: Изучены спектры возбуждения зеркального фотоотражения излучения гелий-неонового лазера от поверхности монокристаллов 6H-SiC под углом Брюстера при поляризации, параллельной плоскости падения излучения. Полученные результаты изменения интенсивности отраженного света указывают на уменьшение оптического показателя преломления карбида кремния под действием ультрафиолетовой подсветки. Обнаружена коррелиция спектров возбуждения фотоотражения со спектрами фотопроводимости материала в режиме малых интенсивностей отраженного света и ультрафиолетовой подсветки, а также линейный рост фотомодуляции отраженного красного света с максимумом 632.8 nm при увеличении интенсивности ультрафиолетовой оптической накачки.

Поступила в редакцию: 17.04.2012
Принята в печать: 22.05.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:12, 2465–2470

Реферативные базы данных:

•