Аннотация:
Одноосная деформация, изменяя волновые функции и энергии подуровней акцепторов, приводит к существенному изменению поляризации горячей фотолюминесценции в полупроводниках. Рассчитаны поляризационные характеристики фотолюминесценции, обусловленной рекомбинацией горячих и термализованных электронов с дырками, связанными на мелких акцепторах, при одновременном воздействии внешнего магнитного поля и одноосной деформации. Показано, что сравнение результатов теории с экспериментами позволит уточнить ряд параметров примесей в кристаллах.