Магнетизм

Анизотропия магнетосопротивления пленок рутената стронция, когерентно выращенных на TiO$_2$-терминированной подложке (001)SrTiO$_3$

Ю. А. Бойков^a, М. П. Волков^ab, В. А. Данилов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша

Аннотация: Пленки SrRuO$_3$ толщиной 80 nm выращены когерентно на TiO$_2$-терминированной подложке (001)SrTiO$_3$. Двухосные механические напряжения индуцируют существенную разницу в параметрах элементарной ячейки слоя SrRuO$_3$ в плоскости подложки ($\sim$3.904 $\mathring{\mathrm{A}}$) и вдоль нормали к ее поверхности ($\sim$3.952 $\mathring{\mathrm{A}}$). Электросопротивление пленки SrRuO$_3$ практически линейно уменьшается с увеличением напряженности магнитного поля $H$, когда последнее параллельно направлению измерительного тока $I_b$ и проекции оси легкого намагничивания в плоскости подложки. При $T$ = 4.2 K, $\mu_0H$ = 14 T и направлении магнитного поля вдоль оси трудного намагничивания отрицательное анизотропное магнетосопротивление сформированных слоев достигает шестнадцати процентов и оказывает существенное влияние на отклик электросопротивления пленки SrRuO$_3$ на магнитное поле.

Поступила в редакцию: 28.05.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:12, 2416–2420

Реферативные базы данных:

•