Эта публикация цитируется в 3 статьях

Магнетизм

Два типа центров локализации носителей заряда в монокристаллах (DOEO)$_4$[HgBr$_4$] $\cdot$ TCE

А. С. Черненькая, О. В. Коплак, А. И. Котов, Р. Б. Моргунов, Э. Б. Ягубский

Институт проблем химической физики РAH, Черноголовка, Московская обл., Россия

Аннотация: Методом ЭПР-спектроскопии обнаружено, что при температурах 5–70 K в кристаллах (DOEO)$_4$[HgBr$_4$] $\cdot$ TCE появляются дополнительные парамагнитные центры, симметрия кристаллического поля которых отличается от наблюдаемой для носителей заряда в интервале температур 70–300 K. Сопоставление температурных зависимостей электрического сопротивления с параметрами спектров ЭПР позволяет предполагать, что при 70 K происходит локализация носителей на двух типах позиций, различающихся кристаллическим окружением.

Поступила в редакцию: 27.04.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:12, 2391–2394

Реферативные базы данных:

•