Эта публикация цитируется в 68 статьях

Полупроводники

Спиновая ориентация дырок при протекании тока в теллуре

В. А. Шалыгин^a, А. Н. Софронов^a, Л. Е. Воробьев^a, И. И. Фарбштейн<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены экспериментальные исследования индуцированной током оптической активности в монокристалле теллура в среднем инфракрасном диапазоне. Рассмотрена феноменологическая теория эффекта и описан его микроскопический механизм. Определена зависимость степени спиновой ориентации дырок в теллуре от плотности электрического тока. Получено приближенное аналитическое выражение, связывающее величину индуцированной током оптической активности со степенью спиновой поляризации дырок.

Поступила в редакцию: 29.05.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:12, 2362–2373

Реферативные базы данных:

•