Аннотация:
Представлены результаты исследований методом теории функционала плотности (DFT) зонной структуры интерфейса графен/Al$_2$O$_3$(0001) как возможной элементной базы графенового полевого транзистора. Изучены закономерности изменения зонной структуры в ряду графен $\to$ 2D-Al$_2$O$_3$(0001) $\to$ 2D-графен/Al$_2$O$_3$(0001). Обсуждаются особенности энергетического распределения поверхностных состояний в интерфейсе 2D-графен/Al$_2$O$_3$(0001). На основе DFT-расчетов изучена природа связи графена с сапфиром.