Эта публикация цитируется в 4 статьях

Сегнетоэлектричество

Механизмы диэлектрической поляризации перовскитной керамики релаксорных сегнетоэлектриков $(1-x)$(NaBi)$_{1/2}$TiO$_3$–$x$Bi(ZnTi)$_{1/2}$O$_3$ ($x<$ 0.2)

Н. М. Олехнович, Ю. В. Радюш, А. В. Пушкарев

Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Белоруссия

Аннотация: Представлены результаты исследования диэлектрических свойств керамики релаксорных сегнетоэлектриков $(1-x)$(NaBi)$_{1/2}$TiO$_3$–$x$Bi(ZnTi)$_{1/2}$O$_3$ ($x<$ 0.2) по импеданс-спектрам, измеренным в диапазоне частот 25–10$^6$ Hz при температурах 100–1000 K. Установлено, что температурная зависимость действительной части диэлектрической проницаемости характеризуется максимумом при температуре $T'_m$ (590–610 K). Показано, что в области температур проявления релаксорного состояния $(T<T'_m)$ диэлектрическая проницаемость $\varepsilon$ определяется суммой вкладов матрицы и дипольных кластеров. Температурная зависимость величины вкладов кластеров, определяемой кинетикой их образования и замерзания, характеризуется кривой с максимумом. В области $T>T'_m$ выявлено два механизма поляризации. Один из них обусловлен тепловым прыжковым движением зарядов, второй дает отклик индуктивного типа (система с отрицательной емкостью). Последний вносит отрицательный вклад в действительную часть $\varepsilon$ и положительный вклад в мнимую часть. С использованием эквивалентной схемы, включающей элемент постоянной фазы индуктивного типа, проведен количественный анализ экспериментальных данных.

Поступила в редакцию: 19.03.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:11, 2236–2242

Реферативные базы данных:

•