Эта публикация цитируется в 13 статьях

Полупроводники

Ширина запрещенной зоны и тип оптических переходов на пороге межзонного поглощения в твердых растворах на основе теллурида висмута

А. Н. Вейс^a, Л. Н. Лукьянова^b, В. А. Кутасов<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведены исследования спектров оптического поглощения в многокомпонентных твердых растворах $n$- и $p$-типа на основе халькогенидов висмута и сурьмы с замещениями атомов в обеих подрешетках Bi$_2$Te$_3$. Установлено, что во всех исследованных твердых растворах, как и в исходном соединении Bi$_2$Te$_3$, на пороге межзонного поглощения при $T$ = 300 K реализуются прямые разрешенные переходы. Ширина запрещенной зоны $E_g$ в твердых растворах $n$-Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_{3-y-z}$Se$_y$S$_z$ слабо возрастает с ростом содержания замещенных атомов в подрешетках Bi и Te. Эти замещения атомов не приводят к увеличению $E_g$ по сравнению с составом $n$-Bi$_2$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$. Из анализа спектров оптического поглощения следует, что рассматриваемые твердые растворы являются слабовырожденными, что подтверждается проведенными ранее исследованиями термоэлектрических и гальваномагнитных свойств. Установлено, что в зоне проводимости твердого раствора Bi$_{1.8}$Sb$_{0.2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.15}$S$_{0.15}$ находится дополнительный экстремум, расположенный выше основного на расстоянии не более 0.1 eV.

Поступила в редакцию: 12.04.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:11, 2182–2188

Реферативные базы данных:

•