Аннотация:
Предложен метод расчета распределения возбужденных электронов в зоне проводимости полупроводников. Метод учитывает возбуждение электронов за счет внешнего источника света и переходы к дну зоны проводимости за счет электрон-фононного взаимодействия. Взаимодействие электронов со световым полем рассчитывается первопринципным образом в дипольном приближении с использованием линейного метода muffin-tin-орбиталей. Электрон-фононное взаимодействие рассчитывается по теории возмущений функционала электронной плотности. Метод применен для расчета функции квазистационарного распределения возбужденных электронов в анатазе, легированном бором, азотом, углеродом. Обсуждаются корреляции функции распределения с фотокаталитической активностью легированного анатаза.