Эта публикация цитируется в 13 статьях

Сверхпроводимость

Особенности гистерезисного поведения магнитосопротивления гранулярных ВТСП

Д. А. Балаев, А. А. Дубровский, С. И. Попков, Д. М. Гохфельд, С. В. Семенов, К. А. Шайхутдинов, М. И. Петров

Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск

Аннотация: Изучено поведение гистерезиса магнитосопротивления $R(H)$ гранулярных ВТСП в условиях, когда резистивный отклик подсистемы межгранульных границ близок к насыщению. Проведены измерения гистерезисных зависимостей $R(H)$ образцов Y$_{1-x}$Pr$_x$Ba$_2$Cu$_3$O$_7$ при $x$ = 0.11 и $x$ = 0.04 с температурами перехода $T_C\approx$ 85.5 и 91.0 K соответственно. Исследована эволюция полевой ширины гистерезиса $R(H)$ при варьировании измерительного тока. Установлен предел применимости концепции эффективного поля в межгранульной среде, предложенной ранее для описания гистерезисного поведения $R(H)$ и термомагнитной предыстории гранулярных ВТСП. В исследованных образцах приближение эффективного поля в межгранульной среде применимо до тех пор, пока магнитосопротивление подсистемы межгранульных границ не превышает (90 $\pm$ 5)% от своей максимальной величины.

Поступила в редакцию: 01.02.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:11, 2155–2164

Реферативные базы данных:

•