Аннотация:
В результате проведения ряда последовательных процедур (карбонизации дерева сапели, получения высокопористого биоуглерода с канальным типом пор, инфильтрации в эти каналы расплавленного Si, образования $\beta$-SiC, сохранения в его каналах остаточного кремния) получены образцы экокерамики $\beta$-SiC/Si с концентрацией Si $\sim$21 vol.%. На них в интервале температур 5–300 K проведены измерения удельного электросопротивления $\rho$ и теплопроводности $\varkappa$. Определены величины $\rho_{\mathrm{Si}}^{\mathrm{chan}}(T)$ и $\varkappa_{\mathrm{Si}}^{\mathrm{chan}}(T)$ для Si$^{\mathrm{chan}}$, находящегося в каналах SiC полученной экокерамики $\beta$-SiC/Si. На основании проведенного анализа результатов оценена величина концентрации носителей тока (дырок) $p$ в Si$^{\mathrm{chan}}$. Она оказалась равной $\sim$10$^{19}$ cm$^{-3}$. Обсуждаются причины появления такой большой величины $p$. Рассматриваются перспективы практического применения экокерамики $\beta$-SiC/Si.