Эта публикация цитируется в 6 статьях

Примесные центры

Ультрафиолетовая люминесценция кристаллов Li$_6$Gd(BO$_3$)$_3$ : Ce при селективном возбуждении в области 4$d$ $\to$ 4$f$-переходов

И. Н. Огородников^a, И. Н. Седунова^a, В. Ю. Иванов^a, Л. И. Исаенко<sup>b

a</sup> Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
^b Институт геологии и минералогии СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Впервые выполнено исследование УФ-люминесценции с субнаносекундным временным разрешением кристаллов Li$_6$Gd(BO$_3$)$_3$ : Ce при селективном возбуждении ультрамягким рентгеновским излучением в области остовных 4$d$ $\to$ 4$f$-переходов при 7 и 293 K. Обнаружены интенсивный быстрый компонент кинетики затухания люминесценции субнаносекундного диапазона, обусловленный высокой локальной плотностью электронных возбуждений и Оже-процессам релаксации остовной дырки; модуляция спектра возбуждения люминесценции полосой поглощения “гигантского резонанса” 4$d$–4$f$-фотоионизации в области энергий 135–160 eV; новая широкая полоса люминесценции при 4.44 eV, обусловленная прямой излучательной рекомбинацией между генетически связанными электроном на состояниях дна зоны проводимости и дыркой на основном 4$f$-состоянии иона Ce$^{3+}$.

Поступила в редакцию: 06.03.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:10, 2039–2050

Реферативные базы данных:

•