Эта публикация цитируется в 11 статьях

Фазовые переходы

Влияние ионизирующего излучения на диэлектрические характеристики монокристаллов TlInS$_2$ и TlGaS$_2$

А. У. Шелег^a, В. Г. Гуртовой^a, В. В. Шевцова^a, С. Н. Мустафаева^b, Э. М. Керимова<sup>b

a</sup> Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Белоруссия
^b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlInS$_2$ и TlGaS$_2$ от температуры и дозы облучения электронным пучком. Установлено, что облучение электронами с ростом дозы приводит к значительному увеличению значений удельной электропроводности $\sigma$ и уменьшению диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ во всей исследованной области температур (80–320 K). Показано, что на температурных зависимостях $\sigma=f(T)$ и $\varepsilon=f(T)$ в областях характерных для TlInS$_2$ фазовых переходов наблюдаются аномалии в виде максимумов. Облучение кристаллов TlInS$_2$ и TlGaS$_2$ электронами дозой 10$^{15}$ и 10$^{16}$ cm$^{-2}$ не приводит к изменению температур фазовых переходов в них. Построены дисперсионные кривые диэлектрической проницаемости varepsilon кристалла TlGaS$_2$.

Поступила в редакцию: 30.01.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:9, 1870–1874

Реферативные базы данных:

•