А. П. Войтович, В. С. Калинов, Е. Ф. Мартынович, А. Н. Новиков, А. П. Ступак, “Закономерности диффузии и агрегации собственных дефектов в диэлектрических кристаллах”, Физика твердого тела, 2012, том 54, выпуск 9,страницы 1659

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Диэлектрики

Закономерности диффузии и агрегации собственных дефектов в диэлектрических кристаллах

А. П. Войтович^a, В. С. Калинов^a, Е. Ф. Мартынович^b, А. Н. Новиков^a, А. П. Ступак^a

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
^b Иркутский филиал института лазерной физики СО РАН

Аннотация: Показано, что кинетика реакций, в которых участвуют подвижные собственные дефекты в кристалле, во многих случаях описывается экспоненциальной зависимостью. Исходя из такой зависимости и того факта, что в исследуемых случаях имеет место диффузия типа случайных блужданий, найдено распределение диффузионных путей, проходимых подвижными дефектами до вступления в реакцию. Определено выражение для среднеарифметической величины этих путей. Для кристаллов фторида лития, облученных гамма-квантами, оценены предэкспоненциальные множители в зависимостях коэффициентов диффузии от температуры и коэффициенты диффузии для дефектов $F^+_2$ и анионных вакансий.

Поступила в редакцию: 11.01.2012
Принята в печать: 06.02.2012