Эта публикация цитируется в 19 статьях

Полупроводники

Механизм переноса тока в диодах с барьером Шоттки на основе крупноблочных пленок CdTe

Ш. А. Мирсагатов^a, А. К. Утениязов^b, А. С. Ачилов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
^b Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан

Аннотация: Показаны возможности создания барьера Шоттки на Al–$p$-CdTe-структурах с минимальной плотностью поверхностных состояний, что подтверждено измерениями высоты потенциального барьера вольт-фарадными и фотоэлектрическими методами. Установлено, что при различных напряжениях прямых смещений реализуются различные экспоненциальные зависимости тока от напряжения, которые связаны с изменением кинетических параметров базы Al–$p$-CdTe–Mo-структуры. Показано, что Al–$p$-CdTe–Mo-структура при прямом направлении тока, высоких уровнях освещения выступает в качестве инжекционного фотодиода. Такой инжекционный фотодиод обладает высокой токовой чувствительностью. При включении тока в обратном направлении после полного охвата базы структуры объемным зарядом из тылового контакта инжектируются электроны, которые определяют механизм переноса тока и шумовые характеристики структуры.

Поступила в редакцию: 29.02.2012

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:9, 1751–1763

Реферативные базы данных:

•