Аннотация:
Исследованы электронные и оптоэлектронные свойства полевых транзисторных структур с активным слоем на основе композитных пленок полупроводникового полимера - поливинилкарбазола (PVK) – с наночастицами никеля. Показано, что в таких структурах при небольших концентрациях никеля (5–10 wt.%) наблюдаются вольт-амперные характеристики, свидетельствующие об амбиполярном транспорте. Значения подвижности для полевых транзисторных структур на основе пленок PVK : Ni (Ni $\sim$ 5 wt.%) составили $\sim$1.3 и $\sim$1.9 cm$^2$/V $\cdot$ s для электронов и дырок соответственно. Установлено, что фоточувствительность, наблюдаемая в таких структурах, связана с особенностями транспорта в пленке полимер-наночастицы никеля, механизм которого определяется модуляцией проводимости рабочего канала полевого транзистора падающим светом и напряжением на затворе.