RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2012, том 54, выпуск 8, страницы 1586–1590 (Mi ftt12986)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полимеры

Фоточувствительный полевой транзистор на основе композитной пленки поливинилкарбазола с наночастицами никеля

А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, Ф. С. Федичкин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы электронные и оптоэлектронные свойства полевых транзисторных структур с активным слоем на основе композитных пленок полупроводникового полимера - поливинилкарбазола (PVK) – с наночастицами никеля. Показано, что в таких структурах при небольших концентрациях никеля (5–10 wt.%) наблюдаются вольт-амперные характеристики, свидетельствующие об амбиполярном транспорте. Значения подвижности для полевых транзисторных структур на основе пленок PVK : Ni (Ni $\sim$ 5 wt.%) составили $\sim$1.3 и $\sim$1.9 cm$^2$/V $\cdot$ s для электронов и дырок соответственно. Установлено, что фоточувствительность, наблюдаемая в таких структурах, связана с особенностями транспорта в пленке полимер-наночастицы никеля, механизм которого определяется модуляцией проводимости рабочего канала полевого транзистора падающим светом и напряжением на затворе.

Поступила в редакцию: 18.01.2012


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:8, 1693–1698

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026