Аннотация:
На основе кинетического уравнения для плотности дислокаций, сосредоточенных в критических длинах однополюсных дислокационных источников, теоретически рассмотрены размерные эффекты, связанные с поверхностью как эффективным стоком для движущихся дислокаций в тонкоразмерном кристалле и барьером для них при наличии на поверхности прочной пленки или специального упрочненного слоя, способствующих аккумуляции дислокаций в кристалле. Теоретические результаты иллюстрируются имеющимися в литературе экспериментальными данными для микро- и нанокристаллов Cu и Al. Найдено в соответствии с этими данными, что при свободной для выхода дислокаций поверхности кристалла зависимость его предела текучести $\sigma_{2\%}$ от поперечного размера кристалла $D$ имеет вид $\sigma_{2\%}\sim D^{-0.75}$, а при наличии на боковой поверхности прочного слоя – $\sigma_{2\%}\sim D^{-0.5}$.