Аннотация:
Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu$_{1-x}$Ag$_x$GeAsSe$_3$ ($x$ = 0.5, 0.8, 0.9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe$_3$ на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей.
Поступила в редакцию: 13.12.2011 Принята в печать: 25.01.2012