RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2012, том 54, выпуск 8, страницы 1466–1469 (Mi ftt12965)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводники

Влияние состава на электрические свойства низкотемпературных ионных проводников в системе Cu$_{1-x}$Ag$_x$GeAsSe$_3$

О. Л. Хейфец, Н. В. Мельникова, А. Л. Филиппов, Э. Ф. Шакиров, А. Н. Бабушкин, Л. Л. Нугаева

Уральский федеральный университет им. Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu$_{1-x}$Ag$_x$GeAsSe$_3$ ($x$ = 0.5, 0.8, 0.9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe$_3$ на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей.

Поступила в редакцию: 13.12.2011
Принята в печать: 25.01.2012


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:8, 1562–1565

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026