Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Наноструктуры Ni–Ge: роль интерфейса и магнитные свойства

Ю. Э. Гребенькова^a, А. В. Черниченко^a, Д. А. Великанов^ab, И. А. Турпанов^a, Э. Х. Мухамеджанов^c, Я. В. Зубавичус^c, А. К. Черков^d, Г. С. Патрин<sup>ab

a</sup> Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
^b Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
^c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^d Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы морфология поверхности и локальная структура слоев пленок Ni–Ge и Ge–Ni–Ge–Ni–Ge. Показано, что поверхность пленок повторяет шероховатости поверхности подложки, имеющие характерные размеры по высоте 2–4 nm и в плоскости $\sim$100 nm. На границах между слоями Ni и Ge образуется интерфейс, глубина которого составляет от 9 до 18 nm. Полученные данные использованы для объяснения особенностей магнитных свойств исследованных пленок: асимметрии петли гистерезиса при низких температурах и различия температурных зависимостей намагниченности при охлаждении образцов в поле и в нулевом поле.

Поступила в редакцию: 29.09.2011
Принята в печать: 18.11.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:7, 1494–1500

Реферативные базы данных:

•