Аннотация:
Из первых принципов в приближении линейного отклика на основе теории функционала плотности исследованы фононный спектр и фононная плотность состояний слоистого полупроводника $\varepsilon$-GaSe. Определены упругие постоянные и скорости звука вдоль и поперек слоев. Исследование равновесной структуры и фононного спектра поверхности (0001) $\varepsilon$-GaSe показывает, что объемные и поверхностные структурные и динамические свойства этих кристаллов отличаются незначительно. Рассчитанные частоты и симметрии фононных мод в центре зоны Бриллюэна хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными из комбинационного рассеяния света и инфракрасных спектров.