Эта публикация цитируется в 3 статьях

Примесные центры

Влияние корреляций в плоском распределении примесных ионов на подвижность 2D-электронов при низких температурах

В. М. Михеев

Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург, Россия

Аннотация: Изучены температурные зависимости электрического сопротивления вырожденных 2D-электронов при рассеянии на примесных ионах в гетероструктурах со спейсером произвольной ширины на примере Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs. Корреляции в расположении примесных ионов учтены в модели жестких сфер на плоскости.

Поступила в редакцию: 10.10.2011
Принята в печать: 22.12.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2012, 54:7, 1451–1458

Реферативные базы данных:

•